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5月，台积电在全球瞩目下推出了代号“N3”的3纳米制造工艺，这被称为半导体行业一次重大的技术突破。作为全球半导体先进制造的领头羊，台积电在3纳米工艺上投入了高达2000亿新台币的研发费用。不仅如此，它还举办了盛大的新品发布会，大肆宣传3纳米工艺带来的性能优势——与上一代5纳米工艺相比，晶体管性能提升达10-15%，芯片产量提升达25-30%。
然而，好景不长。当第一批使用3纳米工艺的苹果A17芯片面世后，消费者惊讶地发现其性能提升仅有10%，远远低于台积电宣称的30%。这让人不禁想问，台积电吹嘘了那么久的3纳米工艺，真的有那么闪亮吗？
原因在哪里？分析认为主要有以下两点：
第一，台积电在3纳米工艺中仍使用了成熟但局限性较大的FinFET工艺。
这已不是针对3纳米节点最佳的选择。FinFET工艺原本只支持到4纳米级别，台积电勉强提升到3纳米，导致了性能的天花板。
第二，3纳米工艺的成熟度还不足。良品率只达到55%左右，远低于可量产水准的90%。这直接影响产能并增加成本。
看似不亮眼的成绩，并没有让品牌商却步。因为行业内人士清楚，任何新工艺在早期推出时，或多或少都会有“儿童病”。
重要的是后续的改进和优化。
此外，相比竞争对手三星，台积电的价格优势仍然明显。
即便性能不及预期，联发科、NVIDIA等客户还是愿意给其3纳米一个机会。高通则比较审慎，打算继续使用4纳米工艺应对成本压力。至于苹果，它凭借强大的议价能力，成功让台积电分担部分损失，保证了自身的利益。
可以看出，业内对台积电3纳米工艺的反应颇为两极分化。这从一个侧面反映出各大科技巨头在半导体行业的地位和实力。
展望未来，分析预测台积电会在3纳米工艺上进行改进，尤其可能推出新一代的GAA晶体管架构。
这可以带来更大的性能提升。同时，3纳米工艺要获得广泛普及还需要一定的时间，5纳米工艺的推广会更为顺利。